特許
J-GLOBAL ID:200903030489702802
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-211728
公開番号(公開出願番号):特開平11-067982
出願日: 1997年08月06日
公開日(公表日): 1999年03月09日
要約:
【要約】【課題】 エリア実装用半導体パッケージに関し、室温及び半田付け工程での反りが少なく、耐半田性や耐温度サイクル性などの信頼性に優れ、かつ成形性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止された半導体装置を提供すること。【解決手段】 一般式(1)、(2)で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に20〜90重量%、融点50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に10〜80重量%含み、式(3)のフェノール樹脂硬化剤を総フェノール樹脂硬化剤中に20重量%以上含み、硬化促進剤及び溶融シリカ粉末からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止された半導体装置。【化1】【化2】【化3】
請求項(抜粋):
(A)一般式(1)、(2)で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に20〜90重量%含み、かつ融点が50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に10〜80重量%含むエポキシ樹脂、(B)一般式(3)で示されるフェノール樹脂を総フェノール樹脂中に20重量%以上含むフェノール樹脂硬化剤、(C)硬化促進剤、及び(D)溶融シリカ粉末からなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】【化2】【化3】式(1)〜(3)中のRは水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜12のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよい。lは1〜10の正の整数、mは0もしくは1〜3の正の整数、及びnは0もしくは1〜4の正の整数である。
IPC (6件):
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/24
, C08G 59/32
, C08K 3/36
, C08L 63/00
FI (5件):
H01L 23/30 R
, C08G 59/24
, C08G 59/32
, C08K 3/36
, C08L 63/00 A
引用特許:
出願人引用 (8件)
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特開平4-258624
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半導体装置およびその製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-133417
出願人:日東電工株式会社
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樹脂封止型半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-054712
出願人:株式会社東芝
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