特許
J-GLOBAL ID：200903030868079098
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-195757
公開番号（公開出願番号）：特開2008-027978
出願日： 2006年07月18日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】リソグラフィの解像限界以下の配線パターンと、それ以外の任意の寸法の配線パターン等を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】被エッチング部材であるポリシリコン膜25上に第1ハードマスク30が形成され、更にこの上にアモルファスシリコンからなる第2ハードマスク40が形成される。第2ハードマスク40の所望の一部にボロン等のイオン注入を行った後、第2ハードマスク40をマスクとして第1ハードマスク30をエッチングする。ウエットエッチングにより第2ハードマスク40のイオン注入されていない部分をエッチング除去する。第1ハードマスク30の側壁に側壁膜70を形成した後、第2ハードマスク40に覆われず上部が露出している第1ハードマスク30を選択的にエッチング除去する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
被エッチング部材上に第1のハードマスクを形成する工程と、
前記第1のハードマスク上に第2のハードマスクを形成する工程と、
前記第2のハードマスクの一部にイオン注入を行ってイオン注入がされない部分との比較でウエットエッチングに対するエッチングレートを変化させるための改質を行う工程と、
前記第2のハードマスクをマスクとして前記第1のハードマスクをエッチングする工程と、
ウエットエッチングによりイオン注入されていない前記第2のハードマスクのみ選択的にエッチング除去する工程と、
前記第1のハードマスクの側壁に側壁膜を形成する工程と、
前記第2のハードマスクに覆われず上部が露出している第1のハードマスクを選択的にエッチング除去する工程と、
前記側壁膜及び前記第1のハードマスクをマスクとして前記被エッチング部材をエッチング除去する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/320
, H01L 21/306
, H01L 21/027
H01L21/88 B
, H01L21/302 105A
, H01L21/30 570
5F004AA04
, 5F004EA12
, 5F004EA13
, 5F004EA16
, 5F033HH04
, 5F033MM29
, 5F033QQ08
, 5F033QQ16
, 5F033QQ19
, 5F033QQ27
, 5F033QQ28
, 5F033QQ35
, 5F033QQ59
, 5F033QQ65
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR13
, 5F033SS04
, 5F033XX03
, 5F046LA18
出願人引用 (2件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-075269
出願人：三洋電機株式会社
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米国特許第6475891号公報
審査官引用 (5件)
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