特許
J-GLOBAL ID：200903030978023918

ワイヤグリッド偏光子の製造方法、ワイヤグリッド偏光子、及び光学装置

発明者：
宮内 靖

宮内 靖 について

, 
杉山 寿紀

杉山 寿紀 について


出願人/特許権者：
日立マクセル株式会社

日立マクセル株式会社 について


代理人 (1件)： 古部 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-140915
公開番号（公開出願番号）：特開2007-310249
出願日： 2006年05月19日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】ワイヤグリッドの間隔が微小であるワイヤグリッド偏光子を簡便に製造することが可能な、ワイヤグリッド偏光子の製造方法等を提供する。【解決手段】上面に酸化防止層132を備える複数の導電体層141が互いに略平行となるように石英基板11表面にそれぞれ凸状に形成され、導電体層141を含めて凹凸面が形成された積層体を形成する工程と、導電体層141の凸状の幅方向両端部を酸化し、一定幅の酸化皮膜142と、酸化皮膜142に狭持される未酸化部としての第1帯状導電体層143とを形成する第1帯状導電体層形成工程と、凹凸面の凹部に導電性材料を充填し、第1帯状導電体層143に略平行な第2帯状導電体層151を形成する第2帯状導電体層形成工程と、を有することを特徴とするワイヤグリッド偏光子100の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板と、当該透明基板の表面に並列して設置される複数の帯状導電体と、を備えたワイヤグリッド偏光子の製造方法であって、 上面に酸化防止層を備える複数の導電体層が互いに略平行となるように透明基板表面にそれぞれ凸状に形成され、当該導電体層を含めて凹凸面が形成された積層体を形成する工程と、 前記導電体層の前記凸状の幅方向両端部を酸化し、一定幅の酸化皮膜と、当該酸化皮膜に狭持される未酸化部としての第1帯状導電体層とを形成する第1帯状導電体層形成工程と、 前記凹凸面の凹部に導電性材料を充填し、前記第1帯状導電体層に略平行な第2帯状導電体層を形成する第2帯状導電体層形成工程と、 を有することを特徴とするワイヤグリッド偏光子の製造方法。
IPC (1件)：
G02B 5/30
FI (1件)：
G02B5/30
Fターム (4件)：
2H049BA02 ,  2H049BA45 ,  2H049BC01 ,  2H049BC22
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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