特許
J-GLOBAL ID：200903031120241891

中空シリカ粒子

発明者：
細川 浩司

細川 浩司 について

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一色 信之

一色 信之 について

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矢野 聡宏

矢野 聡宏 について

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山下 理紗子

山下 理紗子 について


出願人/特許権者：
花王株式会社

花王株式会社 について


代理人 (4件)： 大谷 保 ,  東平 正道 ,  片岡 誠 ,  平澤 賢一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-262066
公開番号（公開出願番号）：特開2009-093876
出願日： 2007年10月05日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】十分に低い誘電率を有する低誘電率膜、その製造方法、及び低誘電率膜用コーティング剤を提供する。【解決手段】(1)マトリクス樹脂に中空構造を有するメソポーラスシリカ粒子が分散されてなる低誘電率膜、(2)マトリクス樹脂形成材に中空構造を有するメソポーラスシリカ粒子を分散させた分散液を調製し、得られた分散液を基板上に塗布後、固化させる工程を含む低誘電率膜の製造方法、及び(3)マトリクス樹脂形成材に中空構造を有するメソポーラスシリカ粒子が分散された低誘電率膜用コーティング剤である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
マトリクス樹脂に中空構造を有するメソポーラスシリカ粒子が分散されてなる低誘電率膜。
IPC (6件)：
H01B 3/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C09D 201/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D 163/00
FI (6件)：
H01B3/00 A ,  H01L21/312 A ,  H01L21/90 Q ,  C09D201/00 ,  C09D7/12 ,  C09D163/00
Fターム (50件)：
4J038CB001 ,  4J038CB031 ,  4J038CB051 ,  4J038CB091 ,  4J038CB111 ,  4J038CD021 ,  4J038CD081 ,  4J038CD091 ,  4J038DA051 ,  4J038DA161 ,  4J038DB001 ,  4J038DB061 ,  4J038DB071 ,  4J038DD191 ,  4J038DF001 ,  4J038DG001 ,  4J038DH001 ,  4J038DJ021 ,  4J038DK011 ,  4J038DL001 ,  4J038HA446 ,  4J038KA08 ,  4J038KA12 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC01 ,  5F058AC06 ,  5F058AD01 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5G303AA07 ,  5G303AB05 ,  5G303CA01 ,  5G303CA09 ,  5G303CB30
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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