特許
J-GLOBAL ID：200903031176118979
単結晶シリコン太陽電池の製造方法及び単結晶シリコン太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-294605
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112847
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】 シリコン太陽電池において、その原料となる珪素の有効活用を図るために光変換層を薄膜とするとともに、変換特性に優れ、更に光照射による劣化の少ない単結晶シリコン太陽電池を、家屋等の採光用窓材料としても使用可能な、シースルー型太陽電池として提供する。【解決手段】 単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンを注入する工程と、透明絶縁性基板の表面に透明導電性膜を形成する工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面及び/または前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面に表面活性化処理を行う工程と、前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、前記単結晶シリコン層にpn接合を形成する工程とを含む単結晶シリコン太陽電池の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上に、光変換層として単結晶シリコン層が配置されている単結晶シリコン太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、
透明絶縁性基板と第一導電型の単結晶シリコン基板とを用意する工程と、
前記単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、
前記透明絶縁性基板の少なくとも一方の表面に透明導電性膜を形成する工程と、
前記単結晶シリコン基板のイオン注入面及び/または前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面に表面活性化処理を行う工程と、
前記単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記透明絶縁性基板上の前記透明導電性膜の表面とを貼り合わせる工程と、
前記イオン注入層に衝撃を与えて前記単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、単結晶シリコン層とする工程と、
前記単結晶シリコン層に前記第一導電型とは異なる導電型である第二導電型の拡散層を形成してpn接合を形成する工程と、
前記単結晶シリコン層上に電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする単結晶シリコン太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/02
, H01L 27/12
H01L31/04 A
, H01L27/12 B
5F051AA02
, 5F051BA03
, 5F051BA11
, 5F051BA16
, 5F051CB03
, 5F051CB11
, 5F051CB19
, 5F051CB25
, 5F051CB27
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051EA18
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051GA03
, 5F051GA06
, 5F051GA20
, 5F051KA09
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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