特許
J-GLOBAL ID:200903096030051079

弾性表面波デバイス及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 片山 修平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-096577
公開番号(公開出願番号):特開2004-304622
出願日: 2003年03月31日
公開日(公表日): 2004年10月28日
要約:
【課題】小型且つ安価で製造が容易な弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】IDT13とこれに配線パターン15を介して接続された電極パッド14とが主面上に形成された圧電基板11Aと、電極パッド14と接続される電極パッド5が主面上に形成されたベース基板2Aとを貼り合わせて構成されたSAWデバイス1において、圧電基板11Aの主面上にIDT13を取り囲む金属膜16と、ベース基板2Aの主面上に金属膜16と位置合わせされた金属膜4とを有する。圧電基板11Aとベース基板2Aとの接合は、この金属膜16,4を直接接合することで実現される。これにより、IDT13が金属膜16,4,圧電基板11A及びベース基板2Aで形成されるキャビティ9内にハーメチックシールされる。この際、金属膜16,4表面に活性化処理を施した後、両基板を接合する。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
櫛形電極と該櫛形電極に電気的に接続された第1の電極パッドとが第1の主面上に形成された圧電基板と、前記第1の電極パッドと接続される第2の電極パッドが第2の主面上に形成されたベース基板とを有する弾性表面波デバイスであって、 前記櫛形電極を取り囲むように前記第1の主面上に形成された第1の膜と、 前記第1及び第2の電極パッドを貼り合わせた際に前記第1の膜と対応する前記第2の主面上の領域に形成された第2の膜とを有し、 前記第1及び第2の膜の表面に活性化処理が施されており、 前記第1及び第2の膜の前記活性化処理が施された面を接合することで前記櫛形電極が封止されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
IPC (2件):
H03H9/25 ,  H03H3/08
FI (2件):
H03H9/25 A ,  H03H3/08
Fターム (8件):
5J097AA30 ,  5J097BB15 ,  5J097EE08 ,  5J097GG03 ,  5J097HA04 ,  5J097HA07 ,  5J097KK10 ,  5J097LL07
引用特許:
審査官引用 (10件)
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引用文献:
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