特許
J-GLOBAL ID：200903062382363575

配線基板およびその製造方法

発明者：
川井 信也

川井 信也 について

, 
冨迫 正浩

冨迫 正浩 について

, 
児玉 和善

児玉 和善 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321916
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093546
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 微細かつ均一な厚みを有し、かつ高い接着強度を有する薄膜配線導体層が絶縁基板表面に形成され、高強度の配線基板を提供する。【解決手段】 絶縁基板と、その表面に形成された薄膜配線導体層とを具備してなる配線基板において、前記絶縁基板は、構成元素として少なくともSi、Al、Mg、Ba、希土類元素RE及びOを含有し、結晶相としてフォルステライト結晶相およびガーナイト結晶相から選択される少なくとも1種と、セルジアン結晶相とを含有し、且つ0.3%以下の開気孔率を有する焼結体から形成されており、該セルジアン結晶相の少なくとも一部がアスペクト比3以上の異方性結晶であると共に、前記薄膜配線導体層は、Cu、Ag、Au及びAlの群から選ばれる少なくとも1種の導体を含有していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、その表面に形成された薄膜配線導体層とを具備してなる配線基板において、 前記絶縁基板は、構成元素として少なくともSi、Al、Mg、Ba、希土類元素RE及びOを含有し、結晶相としてフォルステライト結晶相およびガーナイト結晶相から選択される少なくとも1種と、セルジアン結晶相とを含有し、且つ0.3%以下の開気孔率を有する焼結体から形成されており、該セルジアン結晶相の少なくとも一部がアスペクト比3以上の異方性結晶であると共に、 前記薄膜配線導体層は、Cu、Ag、Au及びAlの群から選ばれる少なくとも1種の導体を含有していることを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H05K1/03 ,  C04B35/195 ,  H05K3/46
FI (4件)：
H05K1/03 610D ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 T ,  C04B35/18 E
Fターム (34件)：
4G030AA03 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030AA40 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030BA12 ,  4G030CA01 ,  4G030CA02 ,  4G030CA07 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA09 ,  4G030GA27 ,  5E346AA12 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346EE23 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346HH06
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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