特許
J-GLOBAL ID：200903031534905120
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028914
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298214
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 長寿命の半導体発光素子を提供すること【解決手段】 半導体発光素子1は、基板10と、基板10の上に積層され、窒化物半導体材料から形成されたn型層12と、それぞれがIn<SB>x</SB>Ga<SB>(1-x-y)</SB>Al<SB></SB><SB>y</SB>N(0≦x、0≦y、x+y<1)から形成された複数の井戸層と、それぞれがIn<SB>s</SB>Ga<SB>(1-s-t)</SB>Al<SB>t</SB>N(0≦s、0≦t、s+t<1)から形成された複数の障壁層とを有し、n型層12の上に積層された多層量子井戸構造活性層13と、多層量子井戸構造活性層13の上に積層され、窒化物半導体材料から形成されたp型層15とを備えている。p型層15に含まれる前記水素元素の濃度は、1×10<SP>16</SP>atoms/cm<SP>3</SP>以上1×10<SP>19</SP>atoms/cm<SP>3</SP>以下である。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に積層され、窒化物半導体材料から形成されたn型層と、それぞれがIn<SB>x</SB>Ga<SB>(1-x-y)</SB>Al<SB>y</SB>N(0≦x、0≦y、x+y<1)から形成された複数の井戸層と、それぞれがIn<SB>s</SB>Ga<SB>(1-s-t)</SB>Al<SB>t</SB>N(0≦s、0≦t、s+t<1)から形成された複数の障壁層とを有し、前記n型層の上に積層された多層量子井戸構造活性層と、前記多層量子井戸構造活性層の上に積層され、窒化物半導体材料から形成されたp型層とを備え、前記p型層は水素元素を含み、前記p型層に含まれる前記水素元素の濃度は、1×10<SP>16</SP>atoms/cm<SP>3</SP>以上1×10<SP>19</SP>atoms/cm<SP>3</SP>以下である、半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 5/343
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 5/343
