特許
J-GLOBAL ID：200903031690938160
酸化ガリウム系焼結体およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047661
公開番号（公開出願番号）：特開2007-223849
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】酸化ガリウム系薄膜の成膜において、スパッタリング中における、異常放電の発生、ノジュールの発生、クラックの発生を抑制しうるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】比表面積が3〜15m2/gの原料粉を混合、粉砕し、急速乾燥造粒を行い、造粒物の成形後、成形体を1200〜1400°Cにて10〜30h焼成することにより、GaInMxOy(Mは正2価以上の金属元素、xは整数で1〜3、yは整数で4〜8)の式で表され、焼結体密度が相対密度で95%以上であり、Ga2O3の絶縁相が存在せず、平均結晶粒径が10μm以下である酸化ガリウム系焼結体を得る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
GaInMxOy(Mは正2価以上の金属元素、xは整数で1〜3、yは整数で4〜8)の式で表され、焼結体密度が相対密度で95%以上であり、Ga2O3の絶縁相が存在せず、平均結晶粒径が10μm以下であることを特徴とする酸化ガリウム系焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/00
, C23C 14/34
, C04B 35/453
C04B35/00 J
, C23C14/34 A
, C04B35/00 P
4G030AA32
, 4G030AA34
, 4G030BA02
, 4G030CA04
, 4G030GA27
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC34
, 4K029DC39
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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