特許
J-GLOBAL ID：200903031782292011
炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-200337
公開番号（公開出願番号）：特開2005-041710
出願日： 2003年07月23日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】本発明は、高抵抗率で高品質な大口径SiC単結晶、SiC単結晶ウェハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】不可避的に混入する未補償不純物を原子数密度で1×1015/cm3以上含有し、かつバナジウムを該未補償不純物濃度未満含有する炭化珪素単結晶、及び、前記炭化珪素単結晶を加工、研磨してなる炭化珪素単結晶ウェハであって、室温の電気抵抗率が5×103Ωcm以上である炭化珪素単結晶ウェハ並びに前記炭化珪素単結晶の製造方法である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
不可避的に混入する未補償不純物を原子数密度で1×1015/cm3以上含有し、かつバナジウムを該未補償不純物濃度未満含有する炭化珪素単結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB06
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077EA05
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077EC02
, 4G077EG25
, 4G077FJ06
, 4G077SA01
, 4G077SA07
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AB06
, 5F045AB14
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AD18
, 5F045AE29
, 5F045AF02
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045DA66
, 5F045DA67
