特許
J-GLOBAL ID：200903031883669876
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262627
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076020
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 使用温度を高め、高いスイッチング速度を有し、回路スペースをコンパクトにできる、ノーマリーオフ型のSiCの半導体装置を提供する。【解決手段】 ノーマリーオフ型のJFET10とノーマリーオン型のJFET20とが組み合わされ、ノーマリーオフ型のJFETのソース電極11とノーマリーオン型のJFETのゲート電極22とが接続され、ノーマリーオフ型のJFETのドレイン電極13とノーマリーオン型のJFETのソース電極21とが接続されている。
請求項（抜粋）：
ノーマリーオフ型の接合型電界効果トランジスター(JFET:Junction Field Effect Transistor)とノーマリーオン型の接合型電界効果トランジスターとが組み合わされた半導体装置であって、前記ノーマリーオフ型の接合型電界効果トランジスターのソース電極と前記ノーマリーオン型の接合型電界効果トランジスターのゲート電極とが接続され、前記ノーマリーオフ型の接合型電界効果トランジスターのドレイン電極と前記ノーマリーオン型の接合型電界効果トランジスターのソース電極とが接続された、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 29/161
H01L 29/161
, H01L 29/80 C
5F102FA00
, 5F102FA01
, 5F102FA04
, 5F102GA01
, 5F102GA02
, 5F102GB01
, 5F102GB02
, 5F102GC01
, 5F102GC07
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GL02
, 5F102GM02
, 5F102GN02
, 5F102GR04
, 5F102GS03
, 5F102HC01
