超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (5件)：三枝英二 , 舘泰光 , 眞下晋一 , 松本公雄 , 立花顕治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-101498
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286245
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】良好な超伝導特性の経時劣化を防止することができる超伝導素子、それを用いた中性子検出装置及び超伝導素子の製造方法を提供すること。【解決手段】誘電体材料で形成された基板(1)と、基板上(1)にメアンダ形状に形成された超伝導材料のストリップライン(2)と、ストリップライン(2)の表面に形成された保護膜(3)と、導電材料の電極(4、4’)とを備え、ストリップライン(2)を形成する超伝導材料が自然酸化によって超伝導特性が劣化する材料である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘電体材料で形成された基板と、該基板上に形成された超伝導材料のストリップラインと、該ストリップラインの表面に形成された保護膜とを備え、前記超伝導材料が、自然酸化によって超伝導特性が劣化する材料であることを特徴とする超伝導素子。

IPC (4件)：

H01L39/00 , C01G1/00 , G01T1/26 , G01T3/00

FI (4件)：

H01L39/00 Z , C01G1/00 S , G01T1/26 , G01T3/00 G

Fターム (23件)：

2G088FF09 , 2G088GG22 , 2G088GG25 , 2G088JJ01 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 2G088JJ35 , 2G088JJ37 , 2G088KK40 , 4G047JA04 , 4G047JC16 , 4G047KE05 , 4G047KE06 , 4G047KG01 , 4G047LA07 , 4G047LB10 , 4M113AC44 , 4M113AD36 , 4M113AD63 , 4M113BA04 , 4M113BA08 , 4M113BC01 , 4M113CA16

引用特許：

出願人引用 (3件)

超伝導材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-356802 出願人：独立行政法人通信総合研究所
超伝導材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-356803 出願人：独立行政法人通信総合研究所
超伝導体を用いた光子及び放射線及び中性子の検出法及びその2次元イメージング法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-195150 出願人：日本原子力研究所, 独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (5件)

超電導部材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-254080 出願人：株式会社東芝
超電導デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-277477 出願人：株式会社日立製作所
超伝導単光子検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-221971 出願人：シュルンベルジェテクノロジーズ,インコーポレーテッド, ユニヴァーシティーオブロチェスター

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