特許
J-GLOBAL ID：200903032048949783
半導体基板の面方位依存性評価方法及びそれを用いた半導体装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190277
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007790
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 同一半導体ウェハー上で少なくとも1種類以上の面方位依存性、特に熱酸化膜形成における面方位依存性を正確にかつ容易に評価する方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板(100)上に円形ドットパターンのハードマスクを形成し、反応性イオンエッチングにより円形状のシリコンピラーを形成する。エッチング量が少ない場合、シリコンピラーはハードマスクの形状に沿って円柱状になるが、エッチング量が多くなるにつれて下部に(100)面が出現し角柱状になる。この(100)面が出現した角柱状シリコンピラーを面方位の評価に用いる。
請求項（抜粋）：
基板面の面方位が(100)である一導電型の半導体基板上にハードマスクを形成する工程と、該ハードマスクをマスクとして異方性エッチングを行った際に形成される、特定の結晶方位に配向した面の少なくとも一部を用いる工程とを備えてなることを特徴とする一導電型半導体基板の面方位依存性評価方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66
, H01L 21/3065
H01L 21/66 P
, H01L 21/66 Q
, H01L 21/302 J
4M106AA10
, 4M106AB17
, 4M106BA02
, 4M106BA12
, 4M106CA51
, 4M106DH24
, 4M106DH57
, 4M106DJ39
, 5F004BA04
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA26
, 5F004DB01
, 5F004EB08
