特許
J-GLOBAL ID：200903032068361340
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189917
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021689
出願日： 2006年07月11日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】ドリフト領域が主に窒化ガリウム層で構成された縦型のパワー半導体装置において、電界集中を緩和して高耐圧とすることができる新たな耐圧構造を有する半導体装置を提供すること。 【解決手段】高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の80%以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に、該基板と同導電型の窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層を有し、主電流が流れる活性領域の周囲が、前記窒化ガリウム化合物半導体を主成分とする半導体層の表面から垂直方向に形成されるメサ溝により包囲される構成の耐圧構造を備える半導体装置において、前記メサ溝の深さが前記窒化ガリウム化合物半導体層の全膜厚の80%以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 E
, H01L29/48 D
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB09
, 4M104BB14
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104HH18
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)
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