窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウム/窒化アルミニウム・ヘテロ構造ゲート誘電体スタック・ベースの電界効果トランジスタおよびその形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388832
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246594
出願日： 2001年12月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】電界効果トランジスタなどの半導体デバイスで薄いゲート誘電体を使用する方法および構造を提供することにある【解決手段】構造(例えば電界効果トランジスタ)およびこの構造を製作する方法は、ソース領域、ドレイン領域およびこれらの間のチャネル領域を有する基板と、チャネル領域の上に配置された絶縁層と、絶縁層の上に配置されたゲート電極を備え、絶縁層が、チャネル領域の上に配置された窒化アルミニウムを含む層を含む。

請求項（抜粋）：

ソース領域、ドレイン領域およびこれらの間のチャネル領域を含む基板と、前記チャネル領域の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上に配置されたゲート電極を備え、前記絶縁層が、前記チャネル領域の上に配置された窒化アルミニウムを含む層を含む電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/316 M , H01L 21/318 M , H01L 29/78 301 G

Fターム (21件)：

5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BF01 , 5F058BJ04 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05

引用特許：

審査官引用 (9件)

高誘電率金属酸化物を形成するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-231210 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
特開昭61-140176
Si(111)上にゲ-ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-074728 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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