特許
J-GLOBAL ID：200903032153034308
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344755
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189637
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】小型・多ピン化が進んで基板上の端子間隔が狭くなったとしても、半導体素子からボール搭載部までの配線を基板に形成するのを可能にしたBGA等の半導体装置を提供することにある。【解決手段】表面から裏面まで導体でつながった多数のスルーホール6を外形の内側にこの外形辺に沿って所望の間隔で配設し、且つ前記表面において各々が前記スルーホール6の各々に接続されて該スルーホールの近傍の範囲で互いに接触しないように伸びた多数の電極片部8を並設形成した基板2を設け、該基板の表面における前記多数の電極片部の内側に半導体素子1を搭載し、該半導体素子の外形辺に沿って配設された多数のボンディングパッド5の各々と前記基板の表面に並設形成された多数の電極片部8の各々との間においてボンディングワイヤ4により接続を行い、少なくとも前記半導体素子及び前記基板の表面を前記ボンディングワイヤが埋設されるように樹脂30により封止した半導体装置である。
請求項（抜粋）：
表面から裏面まで導体でつながった多数のスルーホールを外形の内側にこの外形辺に沿って所望の間隔で配設し、且つ前記表面において各々が前記スルーホールの各々に接続されて該スルーホールの近傍の範囲で互いに接触しないように伸びた多数の電極片部を並設形成した基板を設け、該基板の表面における前記多数の電極片部の内側に半導体素子を搭載し、該半導体素子の外形辺に沿って配設された多数のボンディングパッドの各々と前記基板の表面に並設形成された多数の電極片部の各々との間においてボンディングワイヤにより接続を行い、少なくとも前記半導体素子及び前記基板の表面を前記ボンディングワイヤが埋設されるように樹脂により封止したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
, H01L 21/56
, H01L 23/12
H01L 21/60 301 A
, H01L 21/60 301 P
, H01L 21/56 E
, H01L 23/12 L
