発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-112319
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273401
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】透光性でかつボールアップを有効に防止し得る構造の発光半導体素子用の透光性電極とその透光性電極の作製方法を提供する。【解決手段】本発明に係わる発光半導体素子用透光性電極は、p型GaN系化合物半導体の表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Au、Pt、Pd、Niからなる群より選ばれた、少なくとも1種類の金属あるいは2種類以上の金属の合金よりなる第1の層と、該第1の層上に形成された、Ni、Cr、Co、Zn、Mgよりなる群より選ばれた少なくとも1種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第2の層とを有する。

請求項（抜粋）：

p型GaN系化合物半導体の表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Au、Pt、Pd、Niからなる群より選ばれた、少なくとも1種類の金属あるいは2種類以上の金属の合金よりなる第1の層と、該第1の層上に形成された、Ni、Cr、Co、Zn、Mgよりなる群より選ばれた少なくとも1種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第2の層とを有する発光半導体素子用透光性電極。

Fターム (9件)：

5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB01

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-124890 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (6件)

p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-160886 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-092323 出願人：住友化学工業株式会社
特開昭63-244689

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