特許
J-GLOBAL ID：200903032524764770

発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置

発明者：
吉野 正親

吉野 正親 について

, 
塩原 利夫

塩原 利夫 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-062047
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292807
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【解決手段】 (A)分子鎖末端にビニル基を有するオルガノポリシロキサン 100質量部、(B)オルガノハイドロジェンポリシロキサン(C)白金族金属系触媒 白金族金属として(A)成分と(B)成分との合計重量の1〜1,000ppm、(D)ケイ素原子結合アルコキシ基を有する有機ケイ素化合物 0〜10質量部を含有してなり、その硬化物の25°C,589nm(ナトリウムのD線)での屈折率が1.41〜1.56であることを特徴とする発光半導体被覆保護材。【効果】 本発明の発光半導体被覆保護材で被覆保護された発光半導体装置は、耐熱試験による変色も少なく、発光効率も高いため長寿命で省エネルギーに優れる発光半導体装置を提供することが可能となり、産業上のメリットは多大である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)分子鎖末端にビニル基を有する下記平均組成式(1) RaSiO(4-a)/2 (1)
IPC (3件)：
C08L83/07 ,  C08K3/00 ,  C08L83/05
FI (3件)：
C08L83/07 ,  C08K3/00 ,  C08L83/05
Fターム (7件)：
4J002CP04X ,  4J002CP053 ,  4J002CP14W ,  4J002DA116 ,  4J002DD046 ,  4J002DE196 ,  4J002FD146
引用特許：
出願人引用 (21件)
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審査官引用 (16件)
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