基板を研磨するための方法及び組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長谷川芳樹 , 山田行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-571365
公開番号（公開出願番号）：特表2005-518670
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

基板表面から導電材料を除去するための研磨組成物及び方法が提供される。一態様においては、組成物は、酸ベースの電解液系と、1種以上のキレート化剤と、1種以上の腐食防止剤と、1種以上の無機酸塩又は有機酸塩と、1種以上のpH約3〜約10を与えるpH調整剤と、研磨粒子、1種以上の酸化剤、及びその組合せより選ばれた研磨促進材料と溶媒とを含んでいる。該組成物は、電極を含むプロセス装置において導電材料層がその上に形成された基板を配置するステップと、該電極と基板との間に該組成物を供給するステップと、該電極と該基板との間に電位差を与えるステップと、該導電材料層から導電材料を供給するステップとを含む導電材料除去プロセスに用いることができる。

請求項（抜粋）：

基板表面から少なくとも導電材料を除去するための組成物であって、酸ベースの電解液系と; 1種以上のキレート化剤と; 1種以上の腐食防止剤と; 1種以上の無機酸塩又は有機酸塩と; 1種以上のpH約2〜約10を与えるpH調整剤と; 研磨剤粒子、1種以上の酸化剤、及びその組合せより選ばれた研磨促進材料と; 溶媒と; を備えている、前記組成物。

IPC (3件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (8件)

銅のための化学的機械的研磨(CMP)スラリおよびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-309510 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
研磨方法、配線形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-368640 出願人：株式会社日立製作所
銅系基板に有用な化学的・機械的研磨用スラリー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-338809 出願人：キャボットコーポレイション

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