不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186763
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009179
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】リテンション特性および電荷保持特性を改善し、電荷注入効率を上げる。【解決手段】半導体基板または基板に支持された半導体層と、その表面領域CH上に形成され、基板側から電荷が注入される電荷蓄積層FGを内部に含む絶縁膜と、当該絶縁膜上の制御電極とを有する。基板側の半導体表面領域CHと電荷蓄積層FGとの間に、膜厚方向に窒素濃度が異なる領域を含むボトム絶縁膜BTMを有する。その膜厚方向の窒素濃度分布が極大値を有し、また、そのピークがボトム絶縁膜BTMの膜厚中心より基板側に偏在する。さらに、半導体表面領域CHとの界面付近で窒素濃度が低く、ボトム絶縁膜内側に向かって増加する。このようなボトム絶縁膜BTMの窒素濃度分布は、半導体表面領域CHを窒素原子を含むプラズマに曝し、窒化することにより得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板または基板に支持された半導体層と、当該半導体基板または半導体層の表面領域上に形成され、基板側から電荷が注入される電荷蓄積層を内部に含む絶縁膜と、当該絶縁膜上の制御電極とを有した不揮発性半導体記憶装置であって、上記基板側の半導体表面領域と上記電荷蓄積層との間に、膜厚方向に窒素濃度が異なる領域を含むボトム絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (40件)：

5F001AA04 , 5F001AA11 , 5F001AA12 , 5F001AA13 , 5F001AA43 , 5F001AC01 , 5F001AC03 , 5F001AD70 , 5F001AF25 , 5F001AG23 , 5F083EP02 , 5F083EP07 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP44 , 5F083EP45 , 5F083EP63 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083EP78 , 5F083EP79 , 5F083ER03 , 5F083ER04 , 5F083ER22 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083NA01 , 5F083PR15 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR36

引用特許：

出願人引用 (12件)

特開昭63-003159
特開昭61-036976
特開平4-137562

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審査官引用 (12件)

不揮発性半導体メモリ装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-113841 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体不揮発性メモリトランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068482 出願人：シチズン時計株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み消去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-357914 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

リモートプラズマ励起窒素・酸素を用いたシリコン窒化酸化膜の形成

審査官引用 (1件)

リモートプラズマ励起窒素・酸素を用いたシリコン窒化酸化膜の形成

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