金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法および該方法により選択エッチング処理された金属酸化物膜並びに光学素子及び導電膜

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤幸久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375133
公開番号（公開出願番号）：特開2003-171783
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】インジウムを金属原子の主成分とする金属酸化物膜の所定部位を選択的にエッチングして、より一層微細な加工を施すことができる金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法を提供する。【解決手段】金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法は、下記の工程(A)〜(B)を具備することを特徴とする。工程(A):インジウムを金属原子の主成分として含有し且つアモルファス状態の金属酸化物膜に、集光されたレーザーの照射により、構造が変化した構造変化部を形成する工程;工程(B):構造変化部が形成された金属酸化物膜におけるアモルファス状態部のみをエッチング液により選択的に溶解させる工程金属酸化物膜は、ガラス製基板上に形成されていてもよい。パルス幅が10-6秒以下のレーザーを用いることができる。

請求項（抜粋）：

インジウムを金属原子の主成分として含有する金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法であって、下記の工程(A)〜(B)を具備することを特徴とする金属酸化物膜の選択的なエッチング処理方法。工程(A):インジウムを金属原子の主成分として含有し且つアモルファス状態の金属酸化物膜に、集光されたレーザーの照射により、構造が変化した構造変化部を形成する工程工程(B):構造変化部が形成された金属酸化物膜におけるアモルファス状態部のみをエッチング液により選択的に溶解させる工程

IPC (4件)：

C23F 1/02 , C01G 15/00 , C03C 17/245 , C03C 23/00

FI (4件)：

C23F 1/02 , C01G 15/00 B , C03C 17/245 A , C03C 23/00 D

Fターム (12件)：

4G059AA08 , 4G059AB07 , 4G059AB11 , 4G059AC12 , 4G059AC30 , 4G059EA03 , 4G059EB04 , 4K057WA11 , 4K057WB20 , 4K057WC10 , 4K057WE08 , 4K057WN01

引用特許：

出願人引用 (10件)

金属酸化物膜の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-253539 出願人：三洋電機株式会社
固体試料のアニール方法および半導体不純物ドーピング層形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-156330 出願人：松下電器産業株式会社
透明電極の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-076466 出願人：ホーヤ株式会社, ホーヤ株式会社

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審査官引用 (5件)

特開昭62-202419
透明導電積層体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-297946 出願人：帝人株式会社
透明電極の形成方法および形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-017709 出願人：株式会社日本製鋼所

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