特許
J-GLOBAL ID：200903033037902749

表示装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
藤井 厳

藤井 厳 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-289098
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108169
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なTFTを有する表示装置の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に導電層を形成し、 前記導電層上にレジストを形成し、 前記レジストをレーザ光で露光してパターニングし、マスクを形成し、 前記マスクを用いて前記導電層をパターニングし、ゲート電極層及び第1の電極層を形成し、 前記ゲート電極層及び前記第1の電極層上にゲート絶縁層を形成し、 前記ゲート絶縁層上に金属元素を含む金属膜を形成し、 前記金属膜上に半導体層を形成し、 前記半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、 前記半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、 前記一導電型を有する半導体層上に、導電性材料を含む組成物を吐出して選択的にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、 前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、 前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、 前記絶縁層に前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第1の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に前記第1の電極層に達する第2の開口部を形成し、 前記第1の開口部及び前記第2の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層及び前記第1の電極層を電気的に接続する配線層を形成し、 前記第1の電極層の一部、及び前記配線層を覆う第2の絶縁層を形成し、 前記第1の電極層上に電界発光層を形成し、 前記電界発光層上に第2の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (7件)：
H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 627Z
Fターム (106件)：
3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052AA25 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052JA01 ,  5F052JA02 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE27 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK27 ,  5F110HK28 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP26 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • EL駆動装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-216566   出願人：富士ゼロツクス株式会社
審査官引用 (7件)
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