窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小野由己男 , 堀川かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-357627
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165448
出願日： 2005年12月12日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】窒化物半導体レーザの横モードを安定化させて、低閾値の窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、該基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、少なくともリッジ両側の窒化物半導体層表面を被覆する第1の保護膜と、リッジ上及び第1の保護膜上に形成された電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジ両側の窒化物半導体層上であって、第1の保護膜と電極との間に空洞が、あるいは第1の保護膜と電極とで囲まれた空洞が配置されている窒化物半導体レーザ素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、少なくともリッジ両側の窒化物半導体層表面を被覆する第1の保護膜と、リッジ上及び第1の保護膜上に形成された電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジ両側の窒化物半導体層上であって、第1の保護膜と電極との間に空洞が配置されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (8件)：

5F173AA08 , 5F173AH22 , 5F173AP32 , 5F173AP33 , 5F173AP73 , 5F173AR23 , 5F173AR32 , 5F173AR65

引用特許：

出願人引用 (10件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-014660 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-213580 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ素子及びこれを用いた光モジュール、及び光システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-368182 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (1件)

窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-243478 出願人：シャープ株式会社

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