特許
J-GLOBAL ID：200903033764446063

基板処理方法

発明者：
早崎 圭

早崎 圭 について

, 
塩原 英志

塩原 英志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-167786
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335752
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】被処理基板上に付着するパーティクルを減少させることができる基板処理方法を提供する。【解決手段】溶媒を含む膜を塗布したウエハ(被処理基板)15を枚葉で加熱処理する基板処理方法であり、ウエハ15上に所定流量の気体を流しながら、加熱された熱板16とウエハ15を近接して配置することにより所定時間、ウエハ15を加熱する。この加熱処理後、ウエハ15上に塗布された前記溶媒を含む膜に含まれる物質の昇華温度以上に加熱した気体をウエハ15上に流しながら、前記溶媒を含む膜に含まれる物質の昇華温度より低い温度にウエハ15を冷却する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
溶媒を含む膜を塗布した被処理基板を枚葉で加熱処理する基板処理方法であって、 前記被処理基板上に所定流量の気体を流しながら、加熱された熱板と前記被処理基板を近接して配置することにより所定時間、前記被処理基板を加熱する工程と、 前記被処理基板上に塗布された前記溶媒を含む膜に含まれる物質の昇華温度以上に加熱した気体を前記被処理基板上に流しながら、前記溶媒を含む膜に含まれる物質の昇華温度より低い温度に前記被処理基板を冷却する工程と、 を具備することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  B05D 3/02
FI (2件)：
H01L21/30 566 ,  B05D3/02 Z
Fターム (16件)：
4D075BB18Z ,  4D075BB24Y ,  4D075BB36Y ,  4D075BB57Z ,  4D075BB93Y ,  4D075BB93Z ,  4D075BB95Y ,  4D075CA48 ,  4D075DA08 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  5F046KA04 ,  5F046KA05 ,  5F046KA10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-216877   出願人：鹿児島日本電気株式会社
審査官引用 (6件)
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