真空レーザアニール装置のステージ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057562
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238694
出願日： 1998年02月23日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】真空または減圧の環境下でガラス基板に堆積されたアモルファスシリコン膜をガラス基板を移動させながらレーザアニールしてポリシリコン膜を作る工程において、ガラス基板の移動制御について高い位置決め精度を達成する。【解決手段】真空環境のアニール室28内でガラス基板31上に堆積されたアモルファスシリコン膜をレーザ光でアニールしてポリシリコン膜に変える真空レーザアニール装置に用いられるステージ装置である。このステージ装置ではステージ移動機構43の大部分がアニール室の外側の大気環境に設ける。またアニール室内のステージ41とその支持パイプ44-46 が熱膨張係数の小さい材料で作られる。

請求項（抜粋）：

真空環境のアニール室内でガラス基板上に堆積されたアモルファスシリコン膜をレーザアニールしてポリシリコン膜に変える真空レーザアニール装置において、前記ガラス基板が配置されたステージを移動させる移動機構を、前記アニール室の外側の大気環境に設けたことを特徴とする真空レーザアニール装置のステージ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/268 G , H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (7件)

レーザアニール処理装置及びその制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-069049 出願人：株式会社光昭製作所, 茂呂昭, 柴田佳明
レーザーアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-038995 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
特開昭61-267245

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