半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-220858
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036116
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】工程数を増加させずにメタルゲート構造の加工性を向上した、45nm世代以降のSoCデバイスの製造に対応可能な半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】半導体基板上に高誘電率材料層を形成する高誘電率材料層形成工程と、前記高誘電率材料層上に該高誘電率材料層に接するとともに金属、金属合金、またはこれらの化合物からなる金属層を形成した後、該金属層をパターニングすることにより金属ゲート電極層を形成するゲート電極層形成工程と、前記金属ゲート電極層の側壁部にウエットエッチング耐性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記高誘電率材料層をウエットエッチングによりパターニングして高誘電率ゲート絶縁膜を形成する高誘電率ゲート絶縁膜形成工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に高誘電率材料層を形成する高誘電率材料層形成工程と、前記高誘電率材料層上に該高誘電率材料層に接するとともに金属、金属合金、またはこれらの化合物からなる金属層を形成した後、該金属層をパターニングすることにより金属ゲート電極層を形成するゲート電極層形成工程と、前記金属ゲート電極層の側壁部にウエットエッチング耐性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記高誘電率材料層をウエットエッチングによりパターニングして高誘電率ゲート絶縁膜を形成する高誘電率ゲート絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L27/08 321D , H01L29/58 G , H01L21/28 301R

Fターム (51件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB30 , 4M104CC05 , 4M104DD65 , 4M104DD86 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB13 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA24 , 5F048DA27 , 5F140AA39 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD13 , 5F140BE10 , 5F140BE14 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF17 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF40 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG14 , 5F140BG37 , 5F140BG38 , 5F140BG48 , 5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-083000 出願人：三洋電機株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
米国特許出願公開第2004/23478号明細書

審査官引用 (8件)

エッチング方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-307227 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ, 三菱瓦斯化学株式会社
High-k物質を選択的に除去する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-221896 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-354249 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

全件表示

前のページに戻る