特許
J-GLOBAL ID：200903034448146356

固体撮像装置

発明者：
片白 雅浩

片白 雅浩 について


出願人/特許権者：
オリンパス光学工業株式会社

オリンパス光学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127561
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306902
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 遮光膜及び周辺回路における少なくとも信号配線を一体的に形成した、出力容量が小さく遮光特性も優れた固体撮像装置を提供する。【構成】 CMD受光素子3からなる受光素子アレイ領域1と、スイッチ用nMOSFET7等からなる周辺回路領域2とを設け、周辺回路領域2のnMOSFET7のn+ 拡散層10にはコンタクトホール11を介してシリコン含有の第1アルミニウム層12を接続し、更にビアホール13とシリコン含有の第2アルミニウム層14とビアホール15を介して信号配線となるシリコンを含有する第3アルミニウム層16を接続する。そして、第3アルミニウム層16上には更に遮光膜となる窒化チタン層を形成し、積層膜18を構成する。窒化チタン層はシリコンを吸い上げず且つ光を通さないので、合金スパイクの心配がなく且つ出力容量が低く遮光特性の優れた固体撮像装置が得られる。
請求項（抜粋）：
集積された受光素子アレイと、該受光素子アレイの駆動及び又は信号処理を行う周辺回路とを同一基板上に形成してなる固体撮像装置において、前記受光素子アレイの一部及び周辺回路を遮光する遮光膜と、周辺回路における少なくとも前記受光素子アレイからの出力信号を外部に取り出すための信号配線とを、周辺回路に接続されたシリコンを含有するアルミニウム層を下層とし、遷移金属の窒化物層を上層とした積層膜で一体的に形成したことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 D
引用特許：
審査官引用 (8件)
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