特許
J-GLOBAL ID：200903034706857947

超小型電子構造体、その製造方法およびメモリセルにおけるその使用

発明者：
ヘルマン ヴェント

ヘルマン ヴェント について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568116
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524850
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：
【要約】殊にメモリコンデンサーの部品として適当な超小型電子構造体は、半導体構造体(10)、バリア構造体(11)、電極構造体(5)および高誘電率材料からなる誘電構造体(6)を包含する。該電極構造体(5)は、引張りの機械的層応力を有する。超小型電子構造体の製造は、殊に少なくとも200°Cのスパッタ温度において電極構造体(5)の形成のため白金のスパッタリングにより行なわれる。
請求項（抜粋）：
-半導体構造体(10)を有し、-バリア構造体(11)を有し、-電極構造体(5)を有し、-高誘電率材料からなる誘電構造体(6)を有し、-電極構造体(5)が機械的引張り層応力を有する超小型電子構造体。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 B
Fターム (11件)：
5F083AD42 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA25 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR22
引用特許：
審査官引用 (13件)
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