特許
J-GLOBAL ID：200903034766747563
耐エッチング性に優れたエッチャー用リング
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
渡辺 望稔
, 三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-063968
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253200
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】電極上に載置した基板をエッチングする際に、エッチングによる消耗が少なく、交換時期を長くすることのできるエッチャー用リングを提供する。又、従来のエッチャー用リングに比べて、使用に伴うプラズマによるエッチング性能の変化を小さくするエッチャー用リングを提供する。 【解決手段】エッチャー用リング18は、SiC層28とSi層30で構成され、Si層30に積層されてSiC層28が最表層に形成されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
プラズマを用いて電極上に載置した基板をエッチング処理する処理装置に、エッチング処理対象の基板の周を取り囲むように設けられるエッチャー用リングであって、
Si層とSiC層で構成され、Si層に積層されてSiC層が最表層に形成された部分を有する多層構造であることを特徴とするエッチャー用リング。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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