特許
J-GLOBAL ID：200903035105001502
半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-036291
公開番号（公開出願番号）：特開2009-190953
出願日： 2008年02月18日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】原炭化珪素基板に内在する微細な転移欠陥等を十分に終端すると共に、新たな微細欠陥の発生を抑制することのできる半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板を提供する。【解決手段】単結晶の原炭化珪素基板10上に、90atm%以上のSi原子からなるシリコン供給部30を形成するシリコン供給部形成工程と、Si原子を10atm%以下とし、熱分解してC原子を供給可能な炭素供給部40を形成する炭素供給部形成工程と、シリコン供給部30および炭素供給部40が形成された原炭化珪素基板10を1800°C以上で熱処理する熱処理工程と、熱処理後において、原炭化珪素基板10に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層50を残して、低転移欠陥炭化珪素層50上の熱処理生成物60を除去する熱処理生成物除去工程とを有してなる半導体基板100の製造方法とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる半導体基板の製造方法であって、
単結晶の原炭化珪素基板上に、90atm%以上のシリコン(Si)原子からなるシリコン供給部を形成する、シリコン供給部形成工程と、
前記原炭化珪素基板上に、シリコン(Si)原子を10atm%以下とし、熱分解して炭素(C)原子を供給可能な、炭素供給部を形成する、炭素供給部形成工程と、
前記シリコン供給部および炭素供給部が形成された原炭化珪素基板を、1800°C以上で熱処理する、熱処理工程と、
前記熱処理後において、前記原炭化珪素基板に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層を残して、前記低転移欠陥炭化珪素層上の熱処理生成物を除去する、熱処理生成物除去工程とを有してなることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077CA01
, 4G077CA04
, 4G077CA09
, 4G077EC01
, 4G077EC07
, 4G077ED06
, 4G077FJ01
, 4G077HA12
, 4G077JA02
, 4G077JA03
, 4G077JA06
, 4G077JB07
, 4G077JB12
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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