不揮発性半導体記憶素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田治米登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-016777
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222876
出願日： 2001年01月25日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】 MONOS型フラッシュメモリーと称される不揮発性半導体記憶素子において、データの保持特性、書き込み/消去繰り返し耐性を向上させる。【解決手段】 MIS型トランジスタのゲート電極Gと半導体基板(Si基板1)との間に離散的トラップを有するゲート絶縁膜7が設けられており、トラップに充放電させることによりデータの記憶、消去を行う不揮発性半導体記憶素子200において、トラップの形成層として、原子層化学的気相成長法により成膜された、SiO2とSi3N4の中間組成のSiOxNy薄膜12を設ける。

請求項（抜粋）：

MIS型トランジスタのゲート電極と半導体基板との間に離散的トラップを有するゲート絶縁膜が設けられており、トラップに充放電させることによりデータの記憶、消去を行う不揮発性半導体記憶素子であって、ゲート絶縁膜中にトラップの形成層として、原子層化学的気相成長法により成膜されたSiO2とSi3N4の中間組成の薄膜(以下、SiOxNy薄膜と称する)が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (38件)：

5F001AA13 , 5F001AC02 , 5F001AC06 , 5F001AD17 , 5F001AF07 , 5F001AG02 , 5F001AG12 , 5F001AG21 , 5F001AG30 , 5F083EP18 , 5F083EP50 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083GA21 , 5F083JA03 , 5F083JA05 , 5F083JA35 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083PR40 , 5F101BA45 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD07 , 5F101BF03 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH09 , 5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (15件)

不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-126423 出願人：ソニー株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-194475 出願人：ソニー株式会社
特開平1-204434

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