特許
J-GLOBAL ID：200903035285107931

GaN系半導体発光素子

発明者：
早川 利郎

早川 利郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199928
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028457
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 GaN系半導体からなる活性層とストライプ構造とを有するGaN系半導体発光素子において、基板側への光の放射の影響を低減して、ビームパターンを安定化する。【解決手段】 GaN系半導体からなる活性層7とストライプ構造とを有するGaN系半導体発光素子30において、活性層7と基板1との間に、活性層7が発する光を吸収する光吸収層31を設ける。
請求項（抜粋）：
GaN系半導体からなる活性層とストライプ構造とを有するGaN系半導体発光素子において、前記活性層と基板との間に、前記活性層が発する光を吸収する光吸収層が設けられたことを特徴とするGaN系半導体発光素子。
Fターム (7件)：
5F041AA09 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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