特許
J-GLOBAL ID：200903035384580819
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-268315
公開番号（公開出願番号）：特開2004-110871
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】本発明は、メモリセルアレイがブロックに分割された構成において、メモリセルの位置に関わらず各メモリセルに対して所定の書き込み電圧を供給する不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、各々が不揮発性メモリセルアレイを含む複数のブロックと、複数のブロックの不揮発性メモリセルアレイにプログラム電圧を供給するプログラム電圧生成回路を含み、複数のブロックのうち一のブロックを特定する第1のアドレス信号及び一のブロック内における書き込みメモリセル位置を指し示す第2のアドレス信号に応じてプログラム電圧生成回路においてプログラム電圧を調整することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
各々が不揮発性メモリセルアレイを含む複数のブロックと、
該複数のブロックの該不揮発性メモリセルアレイにプログラム電圧を供給するプログラム電圧生成回路
を含み、該複数のブロックのうち一のブロックを特定する第1のアドレス信号及び該一のブロック内における書き込みメモリセル位置を指し示す第2のアドレス信号に応じて該プログラム電圧生成回路において該プログラム電圧を調整することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C17/00 632C
, G11C17/00 632A
