半導体発光素子、半導体レーザ素子及びこれを用いた発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010217
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218395
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】光励起可能な半導体発光素子、発光効率に優れた半導体発光素子を実現する。【解決手段】傾斜結晶上に活性層が形成され、光励起により誘導放出光を発する半導体発光素子である。活性層は、例えばInGaN層を量子井戸とする多重量子井戸とする。InGaN層のIn組成は、In/(In+Ga)≧0.9とする。この半導体発光素子は、スーパールミネッセントダイオードに相当し、共振構造を有する場合には、レーザダイオードとなる。特に、ピラミッド型のレーザダイオードも実現可能である。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなり周囲の少なくとも1面が傾斜面とされた傾斜結晶に活性層が形成され、該活性層に吸収された励起光により誘導放出光を発することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/18

Fターム (24件)：

5F041AA03 , 5F041AA14 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA10 , 5F041CA13 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CB25 , 5F041CB36 , 5F041FF01 , 5F073AA02 , 5F073AA11 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AB05 , 5F073AB16 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073DA04 , 5F073DA16 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-189927 出願人：オムロン株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-335826 出願人：シャープ株式会社
半導体レ-ザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-298229 出願人：株式会社東芝

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