特許
J-GLOBAL ID：200903035440992610

半導体装置およびその製造方法

発明者：
臼井 良輔

臼井 良輔 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-064828
公開番号（公開出願番号）：特開2004-297054
出願日： 2004年03月08日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】 簡易な方法で半導体装置のノイズ対策を行う。【解決手段】 半導体装置は、層間絶縁膜405および絶縁膜409と、絶縁膜409内に埋設された配線407、408aおよび408bと、絶縁膜409上に搭載された回路素子410aおよび410bと、回路素子410aおよび410bを覆うように形成された封止膜415と、封止膜415を覆うように形成された導電性の遮蔽膜416と、を含む。配線408aおよび408bは、遮蔽膜416に電気的に接続して構成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁層と、 前記絶縁層内に埋設された配線と、 前記絶縁層上に搭載された回路素子と、 前記回路素子を覆うように形成された封止層と、 前記封止層を覆うように形成された導電性の遮蔽膜と、 を含み、 前記配線と前記遮蔽膜とが電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00
FI (3件)：
H01L23/30 B ,  H01L21/56 R ,  H01L25/00 Z
Fターム (16件)：
4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA05 ,  4M109CA12 ,  4M109CA21 ,  4M109DA07 ,  4M109DB15 ,  4M109EE07 ,  4M109GA02 ,  5F061AA02 ,  5F061BA04 ,  5F061CA05 ,  5F061CA12 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061FA02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (11件)
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