特許
J-GLOBAL ID：200903035448875516
窒化ガリウム系化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190407
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012809
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】GaN系化合物半導体装置において、転位密度を低減する。【解決手段】サファイア基板10の表面にイオンエッチングで溝を形成し、その上にGaInNPバッファ層12及びAlGaN層14を成長させ、さらに発光デバイス構造を成長させる。サファイア基板10の表面上に形成された溝によりAlGaN層14の転位密度が低減する。AlGaN層14のAl組成は10%以下が好ましく、波長345nm以上が好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に溝が形成された基板と、
前記基板上に形成されたGaInNPバッファ層と、
前記GaInNPバッファ層上に形成されたAlGaN系化合物半導体層と、
を有することを特徴とするGaN系化合物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01S5/323 610
5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP05
, 5F173AP23
, 5F173AP33
, 5F173AR82
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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