半導体集積回路

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-293469
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080283
出願日： 2006年10月30日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】内部のメモリ動作状態に拘わらずにライトアクセスの要求を受け付ける事が容易な半導体集積回路を提供する。【解決手段】半導体集積回路(1)は、半導体チップ(1A)上に形成された複数のメモリバンク(BNK0〜BNK7)と、複数のライトバッファ(WB0〜WB3)と、外部入力回路(I/F1)と、制御回路(MCNT)とを有する。複数のメモリバンクは、データ入力部と格納されたデータのリフレッシュ動作が定期的に必要とされる複数のメモリセルとをそれぞれ有する。制御回路は、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の期間に、外部入力回路に供給されたデータを対応するライトバッファに選択的に保持させる様に、対応するライトバッファを制御し、対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の完了後に、対応するメモリバンクにデータが対応するライトバッファに供給するよう制御する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップと、上記半導体チップ上に形成され、データ入力部と格納されたデータのリフレッシュ動作が定期的に必要とされる複数のメモリセルとをそれぞれ有する複数のメモリバンクと、上記半導体チップ上に形成され、上記複数のメモリバンクの上記データ入力部に対応して結合された複数のライトバッファ回路と、上記半導体チップ上に形成され、上記複数のライトバッファ回路に結合され、上記複数のメモリバンクのうち対応するメモリバンクに書き込まれるべきデータが供給される外部入力回路と、上記半導体チップ上に形成され、上記対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の期間に、上記外部入力回路に供給されたデータを対応するライトバッファ回路に選択的に保持させる様に、対応するライトバッファ回路を制御する制御回路とを含んで成り、上記制御回路は、上記対応するメモリバンクのリフレッシュ動作と読み出し動作の完了後に上記対応するメモリバンクに上記データが上記対応するライトバッファ回路に供給するよう制御することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G06F 12/00 , G06F 12/08 , G11C 11/406

FI (6件)：

G06F12/00 560B , G06F12/00 550B , G06F12/08 503C , G06F12/08 519Z , G06F12/08 553B , G11C11/34 363F

Fターム (19件)：

5B005JJ12 , 5B005MM01 , 5B005MM23 , 5B005NN73 , 5B005UU32 , 5B060CB05 , 5M024AA50 , 5M024BB26 , 5M024BB33 , 5M024BB34 , 5M024DD39 , 5M024DD59 , 5M024EE15 , 5M024JJ22 , 5M024KK32 , 5M024KK35 , 5M024PP01 , 5M024PP07 , 5M024PP10

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平2-297791号公報
半導体記憶装置,同期型半導体記憶装置および画像処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-160265 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (7件)

メモリリフレッシュ制御回路、メモリ、メモリモジュール、デジタル装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-334190 出願人：甲府日本電気株式会社
メモリ制御回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-038817 出願人：日本電気株式会社
メモリ制御方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-327116 出願人：日本電気エンジニアリング株式会社

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