特許

J-GLOBAL ID：200903035655426233

半導体素子およびその製造方法

発明者： 畑 雅幸 ,  戸田 忠夫 ,  岡本 重之 ,  井上 大二朗 ,  別所 靖之 ,  野村 康彦 ,  山口 勤
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-089897
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180589
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】素子の動作を安定化することが可能な半導体素子を提供する。【解決手段】この半導体素子は、少なくとも裏面の一部に転位の集中している領域8を有するn型GaN基板1と、n型GaN基板1の表面上に形成された窒化物系半導体各層(2〜6)と、転位の集中している領域8上に形成された絶縁膜12と、転位の集中している領域8以外のn型GaN基板1の裏面の領域に接触するように形成されたn側電極13とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも裏面の一部に転位の集中している裏面領域を有する基板と、 前記基板の表面上に形成された半導体素子層と、 前記転位の集中している前記裏面領域上に形成された絶縁膜と、 前記転位の集中している前記裏面領域以外の前記基板の裏面の領域に接触するように形成された裏面側電極とを備えた、半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/22

FI (3件)：

H01S5/343 610 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/22

Fターム (27件)：

5F041AA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA92 ,  5F041CB13 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AK08 ,  5F173AK21 ,  5F173AL10 ,  5F173AL13 ,  5F173AL21 ,  5F173AP04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP13 ,  5F173AP19 ,  5F173AP73 ,  5F173AP82 ,  5F173AP92 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR24

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-011590   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035638   出願人：シャープ株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-001255   出願人：シャープ株式会社, 住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-212932   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-027981   出願人：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社
• 窒化物レーザ素子構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-095129   出願人：日亜化学工業株式会社