特許
J-GLOBAL ID：200903035672620590
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226669
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067907
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 フッ素を含有する絶縁膜からなる層間絶縁膜上に形成した金属膜配線の剥がれが生じない信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Si-F結合基を有するシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜204上に窒化チタンからなるF拡散のバリアメタル層207aを堆積し、その上に金属膜配線を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたフッ素を含有した絶縁膜を少なくとも一部に含む絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された窒化チタン膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/312
, H01L 21/314
H01L 21/90 A
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/312 B
, H01L 21/314 A
