MEMSベースの接触伝導型静電チャック

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：萼経夫 , 宮崎嘉夫 , 舘石光雄 , 小野塚薫 , 田上明夫 , ▲高▼ 昌宏 , 中村壽夫 , 加藤勉 , 村越祐輔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-534383
公開番号（公開出願番号）：特表2007-511900
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

本発明は、半導体処理装置を用いて、半導体基板をクランプして処理するための方法を提供する。本発明の1つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、静電チャックと基板との間の熱接触伝導によって基板を加熱または冷却する動作を開示する。この多極静電チャックは、複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記突起は、その間にギャップを形成し、突起の表面あらさは、100Å以下である。静電チャックは、更にチャックに印加される電圧を制御する電圧制御システムを含み、チャックの接触熱伝達係数を制御する。静電チャックの熱伝達係数は、基板と複数の突起との間の接触圧の関数である。

請求項（抜粋）：

基板をクランプして処理するための方法であって、前記基板を複数の突起を有するクランププレート上に配置し、前記突起が、前記クランププレートの頂部表面から第1距離だけ伸び、かつ約100オングストロームまたはそれ以下の表面あらさを備えて、前記基板に接触する突起接触面積を形成しており、さらに、前記クランププレートの複数の極間に電圧を印加し、前記極に関連した静電力によって基板を前記クランププレートの頂部表面に引きつけ、前記基板と複数の突起との間の接触圧が制御されるように前記電圧を制御し、前記基板と前記クランププレートとの間の熱伝達を制御する、各工程を有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/683 , H01L 21/265

FI (2件)：

H01L21/68 R , H01L21/265 603D

Fターム (11件)：

5F004BB22 , 5F004BD06 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA03 , 5F031HA08 , 5F031HA10 , 5F031HA16 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031PA11

引用特許：

審査官引用 (7件)

ウェハ保持装置およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-213082 出願人：九州日本電気株式会社
静電吸着力制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-257380 出願人：東陶機器株式会社
ウエハ支持部材
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-019015 出願人：京セラ株式会社

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