特許
J-GLOBAL ID：200903035975056230
半導体装置およびその製造方法ならびに半導体実装装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 香樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064368
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251472
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 インターポーザ基板の一方の主面に半導体素子が搭載され、他方の主面に突起電極が形成された半導体装置およびその製造方法、ならびに回路基板上に前記半導体装置が突起電極を介して実装された半導体実装装置において、突起電極の接合部およびその近傍の疲労寿命や接合強度を向上させる。【解決手段】 インターポーザ基板2の全面にレジスト7を形成し、フォトマスク10を用いた露光・現像工程により、電極パッド5に対応する部分の不要なレジスト7を除去する[同図(b) ]。レジスト層7の開口形状はインターポーザ基板2の表面側が狭くなるような逆テーパ状に形成する[同図(c) ]。次いで、レジスト層7の開口内に第1の突起電極部8を形成する[同図(d) ]。次いで、第1の突起電極部8上に第2の突起電極部9を略球状に形成する[同図(f) ]。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の一方の主面に搭載された半導体素子と他方の主面に形成された電極パッドとが電気的に接続され、前記電極パッド上に突起電極が形成された半導体装置において、前記突起電極は、前記電極パッド上に形成された第1の突起電極部と、前記第1の突起電極部の先端に、これよりも低融点の金属材料で形成された第2の突起電極部とによって構成され、その先端と前記電極パッド側の端部との間にくびれ部を有する略鼓状であり、前記絶縁性基板の他方の主面には、前記第1の突起電極部の少なくとも一部が覆われるように絶縁膜が形成されたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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