特許

J-GLOBAL ID：200903036011199836

半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの成膜装置

クリップ

発明者： 佐々木 博司 ,  森谷 和弘 ,  伴 千治 ,  新井 浩二 ,  木下 多賀雄 ,  方志 教和 ,  中野 朝雄 ,  舟橋 学 ,  杵渕 隆男 ,  伊庭 義博 ,  本野 寛 ,  禧久 敦徳
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  株式会社リガク
代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-079100
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258359
出願日： 2006年03月22日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】半導体デバイスの膜の特性をインラインで測定して、定期的なモニタリング作業を不要にした半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に複数の膜を積層して成膜する。この基板1上に形成され上記基板1上の特定エリアを示すパターンを認識し、この特定エリアのみの上記複数の膜に、X線をマイクロ化されたスポット径で照射して、X線反射率測定によって、上記各膜の特性を測定する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に複数の膜を積層して成膜する成膜工程と、 上記基板上に形成され上記基板上の特定エリアを示すパターンを認識し、この特定エリアのみの上記複数の膜に、X線を100μm以下のスポット径で照射して、X線反射率測定によって、上記各膜の特性を測定する測定工程と、 上記各膜の特性に基づいて上記成膜工程での上記複数の膜の成膜状態を管理する管理工程と を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01B 15/02 ,  G01N 23/201 ,  G01N 23/207

FI (4件)：

H01L21/66 N ,  G01B15/02 D ,  G01N23/201 ,  G01N23/207

Fターム (51件)：

2F067AA27 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067HH04 ,  2F067HH12 ,  2F067JJ03 ,  2F067KK01 ,  2F067KK08 ,  2F067KK09 ,  2F067LL15 ,  2F067PP12 ,  2F067RR33 ,  2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001DA01 ,  2G001DA06 ,  2G001DA09 ,  2G001EA02 ,  2G001GA05 ,  2G001GA08 ,  2G001GA13 ,  2G001HA09 ,  2G001JA01 ,  2G001JA06 ,  2G001JA15 ,  2G001JA16 ,  2G001KA01 ,  2G001KA11 ,  2G001KA12 ,  2G001KA20 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA07 ,  2G001PA11 ,  2G001PA14 ,  2G001RA06 ,  2G001SA01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB15 ,  4M106AC05 ,  4M106BA20 ,  4M106CA47 ,  4M106CA48 ,  4M106CB19 ,  4M106DH03 ,  4M106DH25 ,  4M106DJ27 ,  4M106DJ38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 蛍光X線膜厚分析装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-020285   出願人：日本電子株式会社, 日本電子エンジニアリング株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-167651
  
• 半導体装置の不良解析方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-028935   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体製造装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-078505   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 「TiN膜厚と密度測定が1スポット3秒」インライン用高速X線多層膜測定装置を開発, 20041028
• 2004年12月2日のニュース, 20041202