特許
J-GLOBAL ID：200903036056756698
反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-183024
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005523
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】基板1と基板1上に設けられた多層反射膜2と、多層反射膜2上に設けられた光吸収層4、5を具備し、光吸収層4、5がタンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜2に近いほうの層に含まれるタンタルの含有率が、その後に積層して形成した層のタンタル含有率よりも高い反射型フォトマスクブランク10において、EUV光による露光時およびDUV光による検査時において反射領域に対して良好なコントラストが得られ、電子線でのパターン露光によるチャージアップのない反射型フォトマスクブランクおよびそれを用いた反射型フォトマスク並びにそれを用いたパターン転写方法を提供する。【解決手段】タンタルを含有する複数の層4、5の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層6をさらに積層してなることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と基板上に設けられた多層反射膜と、多層反射膜上に設けられた光吸収層を具備し、光吸収層がタンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜に近いほうの層に含まれるタンタルの含有率が、その後に積層して形成した層のタンタル含有率よりも高い反射型フォトマスクブランクにおいて、タンタルを含有する複数の層の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層をさらに積層してなることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BC05
, 2H095BC17
, 5F046GD01
, 5F046GD02
出願人引用 (2件)
審査官引用 (9件)
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