特許
J-GLOBAL ID：200903036071900746
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013059
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352129
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 波長が異なる複数のレーザ光を1つの発光スポットから出射させることができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板100の上における前方側の領域には、AlGaInP層とGaInP層とが積層されてなる活性層112を有するAlGaInP系の第1の半導体積層構造110が設けられていると共に、n型GaAs基板100の上における後方側の領域には、AlGaAs層とGaAs層とが積層されてなる活性層122を有するAlGaAs系の第2の半導体積層構造120が設けられている。第1の半導体積層構造110の活性層112のストライプ領域112aと第2の半導体積層構造120の活性層122のストライプ領域122aとは同一の直線上に配置されている。
請求項（抜粋）：
基板上の前方側の領域に設けられ、第1の波長帯を持つ第1のレーザ光を発振させる第1の活性層を有する第1の半導体積層構造と、前記基板上の後方側の領域に設けられ、第2の波長帯を持つ第2のレーザ光を発振させる第2の活性層を有する第2の半導体積層構造とを備え、前記第1のレーザ光の出射方向と前記第2のレーザ光の出射方向とは同方向であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/22 610
, H01S 5/323
H01S 5/22 610
, H01S 5/323
5F073AA09
, 5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AB06
, 5F073BA05
, 5F073CA04
, 5F073CA14
, 5F073CB20
, 5F073DA05
, 5F073DA35
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (14件)
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