特許
J-GLOBAL ID：200903036237040864
超短レーザパルスによるウェハスクライビング
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 渡辺 敏章
, 大塩 剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-512234
公開番号（公開出願番号）：特表2009-538231
出願日： 2007年05月18日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
ウェハ(200)を、標的材料のアブレーション閾値を小さくするような短いパルス幅のレーザパルスでスクライブするシステム及び方法が提供される。材料層(202,204,206)の積層体では、最小レーザアブレーション閾値はレーザパルス幅に基づいて、これらの層(202,204,206)の各層に関して決定される。複数の最小レーザアブレーション閾値の中から最大のレーザアブレーション閾値が選択され、そして(選択されたレーザアブレーション閾値)〜(選択されたレーザアブレーション閾値の約10倍の値)の範囲のフルエンスを有する一つ以上のレーザパルスのビームが生成される。一の実施形態では、約0.1ピコ秒〜約1000ピコ秒の範囲のレーザパルス幅が使用される。更に、または他の実施形態では、高いパルス繰り返し周波数を選択することによりスクライブ速度を速くする。一の実施形態では、パルス繰り返し周波数は約100kHz〜約100MHzの範囲である。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された複数の層を切断する方法であって、前記複数の層の各層は、レーザパルス幅に応じて変化する各々のレーザアブレーション閾値を有し、前記方法では:
複数の層の各層に関して最小レーザアブレーション閾値を決定し;
前記複数の最小レーザアブレーション閾値の中から最大のレーザアブレーション閾値を選択し;
前記選択したレーザアブレーション閾値と該閾値の約10倍の値の間の範囲のフルエンスを有する一つ以上のレーザパルスのビームを生成し;そして
スクライブを行なって、前記複数の層に形成された複数の集積回路の間に、前記複数の層を貫通して前記基板の上側表面に達する加工溝を、形成する、
方法。
IPC (5件)：
B23K 26/00
, H01L 21/301
, B23K 26/36
, B23K 26/38
, B23K 26/40
B23K26/00 D
, H01L21/78 B
, B23K26/00 H
, B23K26/00 N
, B23K26/36
, B23K26/38 320
, B23K26/40
4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068AH03
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CA07
, 4E068DA11
