特許
J-GLOBAL ID：200903036406686663
マスクブランク及び露光用マスクの製造方法、並びにインプリント用テンプレートの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-049084
公開番号（公開出願番号）：特開2008-209873
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】露光用マスク等の製造において、微細パターンを高いパターン精度で形成することができるマスクブランクを提供する。【解決手段】基板11上にパターンを形成するための薄膜12,13を有するマスクブランクにおいて、前記薄膜上に形成されるレジストパターン14aをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクである。そして、前記薄膜は、少なくとも上層部に酸素を60原子%以上含有する保護層を有する。前記ドライエッチング処理は、例えば酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、
前記マスクブランクは、前記薄膜上に形成されるレジストパターンをマスクにして、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理により、前記薄膜をパターニングする露光用マスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、
前記薄膜は、少なくとも上層部に酸素を60原子%以上含有する保護層を有することを特徴とするマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2H095BA07
, 2H095BA10
, 2H095BB01
, 2H095BB10
, 2H095BB14
, 2H095BB16
, 2H095BC05
, 2H095BC19
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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