特許
J-GLOBAL ID:200903017160801030

インプリント・リソグラフィ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  吉田 裕 ,  森 徹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-367350
公開番号(公開出願番号):特開2006-203183
出願日: 2005年12月21日
公開日(公表日): 2006年08月03日
要約:
【課題】高解像度インプリントを可能にするリソグラフィ方法を提供する。【解決手段】インプリント可能媒体で実質的に覆われた基板40において、基板上のインプリント可能媒体から成る離隔した第一および第二ターゲット領域を、第一および第二テンプレート(41、42)にそれぞれ接触させて、平行かつ隣接して動かし、テンプレート41、42で定められたパターンをインプリント可能媒体にインプリントした後、第一および第二テンプレートをインプリント済み媒体から分離する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
基板の離隔した第一および第二ターゲット領域にインプリント可能媒体を投与する段階と、 前記離隔した第一および第二ターゲット領域を第一および第二テンプレートにそれぞれ接触させて、前記インプリント可能媒体に第一および第二インプリントをそれぞれ形成する段階と、 前記第一および第二テンプレートをインプリントされた前記インプリント可能媒体から分離する段階と、 基板の離隔した第三および第四ターゲット領域にインプリント可能媒体を投与する段階と、 前記インプリント可能媒体の第一領域から第三領域に、第一方向で前記第一テンプレートを動かし、また、前記インプリント可能媒体の第二領域から第四領域に、第二方向で前記第二テンプレートを動かす段階と、 前記第三および第四ターゲット領域を前記第一および第二テンプレートにそれぞれ接触させて、前記インプリント可能媒体に第三および第四インプリントをそれぞれ形成する段階とを含むインプリント方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  B82B 3/00 ,  B29C 59/02
FI (3件):
H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  B29C59/02 Z
Fターム (13件):
4F209AA13 ,  4F209AA21 ,  4F209AA33 ,  4F209AA43 ,  4F209AC05 ,  4F209AF01 ,  4F209AG03 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28
引用特許:
出願人引用 (20件)
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審査官引用 (20件)
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引用文献:
出願人引用 (1件)
  • STEP AND REPEAT UV NANOIMPRINT LITHOGRAPHY TOOLS AND PROCESSES
審査官引用 (2件)
  • STEP AND REPEAT UV NANOIMPRINT LITHOGRAPHY TOOLS AND PROCESSES
  • STEP AND REPEAT UV NANOIMPRINT LITHOGRAPHY TOOLS AND PROCESSES

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