特許
J-GLOBAL ID：200903085554572244
フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-200340
公開番号（公開出願番号）：特開2006-048033
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。その結果、レジスト膜の薄膜化(300nm以下)が可能となり、パターンの解像性、パターン精度(CD精度)を向上できる。更に、ドライエッチング時間の短縮化により、断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が1を超える材料で構成した。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、
前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、
前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が1を超える材料で構成したことを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2H095BB01
, 2H095BB03
, 2H095BB14
, 2H095BC05
, 2H095BC13
, 2H095BC14
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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