半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171229
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073774
出願日： 1996年07月01日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】低消費電流で高速にデータ転送およびアクセスのできる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】複数のアレイブロックMBa〜MBd各々は、アレイ活性制御回路4の制御のもとに、互いに独立に駆動可能とされる。アレイ活性制御回路4の制御のもとに、1つのアレイブロックからデータを読出したときに、別のアレイブロックにおいて列を選択してグローバルI/OバスGI/Oに接続することにより、1つのアレイブロックから別のアレイブロックへのデータ転送を行なうことができる。

請求項（抜粋）：

各々が行および列のマトリクス状に配列される複数のメモリセルを有する複数のアレイブロック、前記複数のアレイブロックに共通に配設される共通データバス線、アドレス信号に従って、前記複数のアレイブロックのうちの1つのアレイブロックを選択し、該選択されたアレイブロックのメモリセルを選択して、該選択されたメモリセルのデータを前記共通データバス線へ読出すアレイ制御手段、および転送指示と転送アドレス信号とに応答して、前記アレイ制御手段により前記共通データバス線へ読出されたメモリセルのデータを前記転送アドレス信号が指定するアレイブロックへ転送する転送手段を備える、半導体記憶装置。

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077852 出願人：松下電器産業株式会社
デュアルポートメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-349716 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-155106 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (10件)

特開昭63-183694
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077852 出願人：松下電器産業株式会社
デュアルポートメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-349716 出願人：三菱電機株式会社

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