特許
J-GLOBAL ID:200903036941966047

透明導電膜付き基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大野 精市
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-040184
公開番号(公開出願番号):特開平10-239697
出願日: 1997年02月25日
公開日(公表日): 1998年09月11日
要約:
【要約】【課題】 ITO層と銀層の積層構造を有する透明導電膜に対して、酸による電極パターン加工をするとき、基板に直接接して被覆されるITO層に、サイドエッチングが生じないようにする。【解決手段】 ガラス透明基板上に、ガラス基板側からITO層とパラジウム含有銀層とをこの順序で交互に積層した5層の積層体からなる透明導電膜を被覆した透明導電膜付き基板とし、金属層上に被覆されたITO層を、層の厚み方向で結晶粒子の堆積を多層となるようにした。ITO層およびパラジウム含有銀層をインラインス型パッタリング装置で成膜するとき、多層とするITO層の成膜は、ITOターゲット用のカソードを少なくと2つ以上基板の搬送方向に並べて、成膜を中断して多層化する。
請求項(抜粋):
透明基板の一方の主表面上に、前記透明基板側から誘電体層と金属層とがこの順序で交互に積層された3層以上の積層体からなる透明導電膜が設けられた透明導電膜付き基板において、前記金属層上に設けられた誘電体層は、層の厚み方向で多層となるように堆積されていることを特徴とする透明導電膜付き基板。
IPC (4件):
G02F 1/1343 ,  C03C 17/36 ,  G09F 9/00 342 ,  H05K 3/46
FI (4件):
G02F 1/1343 ,  C03C 17/36 ,  G09F 9/00 342 C ,  H05K 3/46 T
引用特許:
審査官引用 (12件)
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